IGBT/SiC toitemoodulites täidab kiipe kandev keraamiline substraat samaaegselt mitut rolli, sealhulgas mehaaniline tugi, elektriline ühendamine ja soojuse hajutamine. Tänu oma märkimisväärsetele jõudluseelistele on AMB (Active Metal Brazing) keraamilised substraadid järk-järgult asendamas DBC (otseühendatud vask) keraamilisi substraate paljudes suure-kindlusega rakendusvaldkondades, muutudes paljutõotavate arenguväljavaadetega põhimaterjaliks lennunduses, uutes energiasõidukites, tööstusrakendustes ja muudes sektorites.
Kuna võimsuspooljuhid arenevad jätkuvalt suurema võimsustiheduse ja suurema töökindluse suunas, on materjalisüsteem ja liidese struktuur muutumas võtmeteguriteks, mis määravad jõudluse ülemised piirid ja kulude piirid. Kõrge-pinge ja kõrge{2}}temperatuuri tingimustes töötavate SiC-seadmete puhul on tavalistel Ag-Cu-Ti-põhistel AMB-substraatidel puudusi, nagu hõbeda migratsioonitõrge ja kulude volatiilsus. Uute energiasõidukite, raudteetransiidi ja elektrivõrkude 800 V võimsusega autoplatvormidel kasutatavate suure-võimsusega seadmete pikae{7}}eluea ja kõrgete{8}}töökindluse nõuete kohaselt on kulude ja töökindluse tasakaalustamine muutunud peamiste tootjate optimeerimissuunaks.
Pooljuhtide ja elektroonikainfotööstuse kiire areng on seadnud tuumamaterjalidele kõrgemad jõudlusnõuded. Peamiste alusmaterjalidena, millel on multifunktsionaalsed ühendusomadused,-sh elektrilised, magnetilised, termilised ja mehaanilised omadused-kasutatakse elektroonikakeraamikat laialdaselt põhikomponentides, nagu kondensaatorid, filtrid, andurid ja pakkematerjalid. Nende hulgas on keraamilised substraadid elektrilise pooljuhtpakendis elektroonikakeraamika oluliseks tootevormiks ning nende soojusjuhtivus, mehaaniline tugevus, töökindlus ja täpsus määravad otseselt lõpptoodete jõudluse ja eluea.