Kõrge puhtusastmega-ränikarbiidi sadestusrõngas / servarõngas

Kõrge puhtusastmega ränikarbiidi sadestusrõngas, mida tavaliselt nimetatakse servarõngaks või fookusrõngaks, on põhilistes protsessikambrites, nagu keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) ja söövitus pooljuhtide tootmises, põhikomponent. See paikneb vahvli hoidva elektrostaatilise padruni perifeeria ümber, kas tihedas kontaktis vahvli servaga või säilitades sellest minutise vahe. Selle põhifunktsioonid on määrata plasma või reaktiivsete gaaside ühtlane jaotusala, kaitsta padrunit protsessi kõrvalsaadustega-saastumise eest ja tagada protsessi ühtlus vahvli serva piirkonnas. See mõjutab otseselt õhukese-kile sadestamise või söövitamise ühtlust, defektide määra ja üldist saagist kogu vahvli ulatuses, eriti selle servades. Ränikarbiidi puhtusaste, tavaliselt 4N (99,99%) või 5N (99,999%) ja kõrgem, on selle jõudluse ja kasutusala määrav tegur.

• Äärmiselt puhtus ja madal saastatus: valmistatud kõrge -puhtusastmega ränikarbiidi pulbrist, mille standardklassid on 4N (99,99%) ja kõrgemad-5N (99,999%), tagab metalliliste lisandite minimaalse vabanemise kõrge-temperatuuriga plasmakeskkonnas, vältides vahvlite saastumist. Valik 4N ja 5N vahel sõltub konkreetse pooljuhtprotsessi tundlikkusest lisandite tasemete suhtes.
• Erakordne kõrge{0}}temperatuurikindlus: sulamistemperatuuriga kuni 2700 kraadi, võib see töötada stabiilselt pikka aega tavalistel pooljuhtide protsessitemperatuuridel (sageli üle 600 kraadi) ilma deformatsiooni või jõudluse halvenemiseta. See omadus on omane nii 4N kui ka 5N klassidele.
• Suurepärane vastupidavus plasmasöövitamisele: väga söövitavates fluori{0}} või kloori-põhistes plasmakeskkondades on ränikarbiidil väga madal söövitusaste, pakkudes oluliselt pikemat kasutusiga võrreldes materjalidega nagu kvarts või alumiiniumoksiid.
• Hea soojus- ja elektrijuhtivus: selle soojusjuhtivus on lähedane metallide omale, aidates kaasa temperatuuri ühtlustamisele vahvli servas. Sellel on ka häälestatav elektrijuhtivus, mis aitab stabiliseerida plasmakestat ja optimeerida protsessi ühtlust.
• Kõrge kõvadus ja kulumiskindlus: selle kõrge Mohsi kõvadus võimaldab vastupidavust osakeste erosioonile ja mehaanilisele kulumisele töötlemise ajal, säilitades pinna sileduse.
• Kõrge mehaaniline tugevus: see säilitab konstruktsiooni terviklikkuse kõrgel temperatuuril ja termilise tsükli pinge all, vältides luumurde.

• Materjali puhtusaste: defineeritud kui 4N (99,99%) ja 5N (99,999%). Metalliliste lisandite kogusisaldus on tavaliselt alla 100 ppm 4N ja 10 ppm või madalam 5N puhul, kusjuures peamisi saasteaineid, nagu naatrium, raud ja kaltsium, kontrollitakse osade miljardi kohta (ppb), eriti 5N materjali puhul.
• Tihedus ja poorsus: kõrge{0}}tihedusega paagutamine on standardne, puistetihedus on suurem kui 3,10 g/cm³ ja väga madal avatud poorsus (< 0.1%) to prevent gas permeation and particle retention.
• Takistus: reguleeritav vastavalt protsessi vajadustele, tavaliselt vahemikus 0,1 kuni 100 Ω·cm, et täita erinevaid elektrostaatilise juhtimise ja plasmaühenduse nõudeid.
• Soojuspaisumise koefitsient (CTE): Suhteliselt madal (umbes 4,0 x 10⁻⁶ /K), sarnane räniplaatide omale, tagades hea sobivuse termilise tsükli ajal ja vähendades pingeid.
• Pinna karedus: Täppispoleeritud pinnakareduseni Ra, mis on tavaliselt väiksem kui 0,4 μm. Sile pind minimeerib osakeste nakkumist ja hõlbustab puhastamist.
• Mõõtmete täpsus: omab äärmiselt suurt geomeetrilist täpsust sise-/välisdiameetri, tasasuse ja paralleelsuse osas (tavaliselt ±0,05 mm tolerantsiga), tagades ideaalse sobivuse vahvli ja padruniga.
• Tera suurus: peeneteraline{0}}struktuur (tera keskmine suurus tavaliselt alla 5 μm) aitab parandada materjali mehaanilist tugevust ja korrosioonikindluse ühtlust.

Kõrge -puhtusastmega ränikarbiidi sadestamis-/servarõngas on täiustatud pooljuhtide tootmises asendamatu komponent, mille materjali kvaliteedi valik (4N vs . 5N) juhindub protsessinõuetest.

Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) ja aatomkihtsadestamine (ALD): tagab ühtlase kile paksuse ja omadused vahvli serval. 5N-klass on sageli kohustuslik kõige arenenuma loogika- ja mäluseadme sadestamiseks, kuna see on väga -väikse metallisaaste tõttu.

Kuivsöövitamine: kontrollib täpselt söövitusprofiili vahvli servas, kaitstes samal ajal elektrostaatilist padrunit. Nii 4N kui ka 5N on laialdaselt kasutusel, kusjuures 5N on eelistatud ülitundlike söövitusprotsesside jaoks täiustatud sõlmedes.

Plasmapuhastus: aitab säilitada stabiilse plasmapiiri. 4N-klassist võib piisata paljude puhastusrakenduste jaoks.

Täiustatud protsessisõlmed: 28 nm ja alla selle loogikakiipide ja täiustatud mälukiipide (3D NAND, DRAM) tootmisel on 5N (99,999%+) kõrge -puhtusega ränikarbiidi äärmine puhtus tavaliselt standard defektide vältimiseks ja tootlikkuse tagamiseks.

Liitpooljuhid: GaN-l, SiC-põhiste toite- ja RF-seadmete tootmisel kasutatakse tavaliselt 4N kõrge-puhtusastmega ränikarbiidi, mis pakub nende rakenduste jaoks suurepärast jõudlust, kõrget-temperatuurikindlust ja kulu{4}}efektiivsust.

Kuum tags: kõrge-puhtusastmega ränikarbiidi sadestusrõngas / servarõngas, kõrge-puhtusastmega ränikarbiidi sadestusrõngas / servarõngas tootjad, tarnijad, tehas