Toodete kirjeldus

Ränikarbiid (sageli lühendatult SiC ja teistes keeltes tuntud kui Siliziumcarbid, Carburo de Silicio või Carbure de Silicium) on mitmekülgne täiustatud materjal. Pooljuhtide tootmise kontekstis viitavad ränikarbiidi valuplokid silindrilisele monokristallilisele ränikarbiidile, mis on toodetud kristallide kasvatamise tehnikate, näiteks füüsikalise aurutranspordi (PVT) meetodil. Elektrooniliste rakenduste puhul nõuab see protsess üli-kõrge puhtusastmega lähtematerjale, et kasvatada kindla polütüüpi valuplokke (nt 4H-SiC ja 6H-SiC), mille puhtusaste ulatub suure jõudlusega seadmete puhul sageli 4N-ni (99,99%) ja 5N-ni (99,999%). Seevastu tööstuskeraamika jaoks toodetakse paagutatud ränikarbiidi või reaktsiooniseotud ränikarbiidi madalama puhtusastmega pulbritest, mida kasutatakse selliste komponentide jaoks nagu mehaanilised tihendid. Monokristallilised valuplokid on lähtematerjaliks ränikarbiidsubstraatide (vahvlite) valmistamisel. Pärast viilutamist, lihvimist ja poleerimist saavad need valuplokid pooljuhtkiipide tootmise aluspõhimikuks. Ränikarbiid on kolmanda -põlvkonna laia ribalaiusega{18}}pooljuht- ja keraamiline materjal, mille jõudlus ületab tunduvalt traditsioonilise räni oma. See sobib eriti äärmuslikesse töökeskkondadesse, mis hõlmavad kõrget temperatuuri, kõrget pinget, kõrget sagedust ja suurt võimsust. Seda materjali leidub erinevates vormides, nagu alfa-ränikarbiid, kuupmeetriline ränikarbiid ja elektroonikas kasutatavad tavalised 4H-SiC ja 6H-SiC polütüübid.

toote üksikasjad

Toote nimi	Ränikarbiidist räni kolonn
Värv	Kohandatud vastavalt kliendi nõudmistele
suurus	Kohandatud vastavalt kliendi nõudmistele
Pakendamine	Karp / kaubaalus / puidust karp (vastavalt kliendi soovile)
Tarneaeg	Standardtoode-3 päeva jooksul
Esemed Disain	Vastavalt kliendi joonisele või näidistele
Omadused	Hea kvaliteet, madal hind, mitu tehast, tarnivad teile teie asukohale kõige lähemal asuva tehase alusel
Rakendus	Tööstuslik keraamika
tunnistus	ISO, CE

Silicon Carbide Silicon Column

Peamised jõudlusparameetrid ja materjali omadused

Ränikarbiidi põhilised jõudlusparameetrid ja omadused nii elektroonika- kui ka tööstuslike rakenduste jaoks on erakordsed:

Ribavahemiku laius: ränikarbiidi lai ribalaius on ligikaudu 3,2 elektronvolti (eV) (tavalise 4H-SiC polütüübi jaoks), mis on umbes kolm korda suurem kui ränist (1,1 eV). Lai ribalaius tähendab, et SiC-seadmed võivad töötada stabiilselt kõrgematel temperatuuridel ja äärmiselt madala sisemise kandjakontsentratsiooniga, mis vähendab oluliselt lekkevoolu ohtu. Selle optimaalse jõudluse saavutamiseks on vaja kasutada kõrge -puhtusastmega (nt 4N, 5N) ränikarbiidi, et minimeerida elektriliselt aktiivseid lisandeid.
Soojusjuhtivus: ränikarbiidil on suurepärane soojusjuhtivus, ligikaudu 3,7–4,9 W/(cm·K), palju kõrgem kui ränil. See omadus on ülioluline ränikarbiidist kütteelementide, termopaari kaitsetorudena kasutatavate ränikarbiidist torude ja toiteseadmete soojuse haldamise jaoks.
Läbilöögivälja tugevus ja elektrilised omadused: SiC-l on väga kõrge läbilöögi elektrivälja tugevus, umbes 2,8 MV/cm. See võimaldab tõhusaid ja kompaktseid toiteseadmeid. Selle võimalused laienevad ka kasutamiseks ränikarbiidist keraamilistes plaatides ja lehtedes nõudlikes keskkondades. Realiseeritud purunemistugevus sõltub suuresti materjali puhtusest ja kristallide kvaliteedist.
Mehaaniline ja keemiline stabiilsus: ränikarbiidil on äärmine kõvadus (Mohs ~ 9), suur tihedus ja tugev kulumiskindlus. Need ränikarbiidi materjali omadused muudavad selle ideaalseks ränikarbiidist mehaaniliste tihendite, laagrite, düüside, pukside ja vooderdiste jaoks. Selle keemiline inertsus võimaldab seda kasutada ränikarbiidist tiiglites ja ränikarbiidiga katmiseks CVD või muude meetodite abil.

tüüpiline rakendus

Nende suurepäraste omaduste põhjal kasutatakse ränikarbiidist töödeldud materjale kõrgekvaliteediliste{0}}võimsusega pooljuhtseadmete ja suure hulga tööstuslike keraamiliste komponentide tootmiseks.

Uued energiasõidukid ja jõuelektroonika: see on suurim kasvav turg. Inverterites ja muundurites kasutatakse SiC pooljuhtsubstraate (mis on saadud kõrge puhtusastmega 4N/5N valuplokkidest). Tarnijad nagu Infineon, Wolfspeed ja CREE on võtmeisikud. Tööstuslikke SiC keraamilisi osi leidub ka seotud süsteemides.
Tööstus- ja protsessitehnoloogia: kasutatakse kulumiskindla-keraamika, ränikarbiidist tihendite ja laagrite, düüside, ränikarbiidist telliste ja tulekindlate materjalide ning pumpade ja ventiilide komponentide jaoks. Ränikarbiidi tarnijad ja tootjad pakuvad neid paagutatud või reaktsiooniga liimitud osi, mis tavaliselt ei nõua elektroonilist{3}}puhtust.
Uus energia ja energiasalvesti: fotogalvaanilistes inverterites ja salvestussüsteemides parandavad ränikarbiidi seadmed (mis põhinevad kõrge{0}}puhtusega substraatidel) tõhusust. Ränikarbiidist kütteelemente ja kaitsetorusid kasutatakse kõrgtemperatuursetes-tööstuslikes ahjudes.
Lennundus-, kaitse- ja tipptehnoloogia: kasutades ära selle kõrget-temperatuuritaluvust ja konstruktsiooni stabiilsust, kasutatakse seda ränikarbiidkomposiitide, optiliste komponentide ja soomuse jaoks.

Toote parameetrid

products parameters

Kvaliteedikontroll

Järgides rangelt ISO 9001 kvaliteedijuhtimissüsteemi, rakendame täielikku-protsesside kvaliteedikontrolli, et tagada kvaliteetsete-toodete järjepidev tarnimine:

• 100% tooraine kontroll, mis tagab kvaliteedi allikast
• Täiustatud kuumpressimise{0}}tootmisliinide kasutamine stabiilsete ja usaldusväärsete protsesside jaoks
• Põhjalik ettevõttesisene{0}}testimissüsteem, mis hõlmab tiheduse, kõvaduse ja mikrostruktuuri analüüsi
• Kolmandate osapoolte usaldusväärsete{0}}sertifikaatide (sh SGS, CE, ROHS jne, saadaval nõudmisel) saadavus

Oleme jätkuvalt pühendunud oma juhtimissüsteemi pidevale täiustamisele, pakkudes klientidele järjepidevat ja usaldusväärset tootetagatist.

quality control